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    硅單晶拋光片

    硅單晶拋光片


    硅單晶拋光片產品信息

    拉晶方式

    Cz/MCZ

    導電類型

    N

    P

    摻雜劑

    Ph

    B

    直徑

    3"

    4"

    5"

    6"

    3"

    4"

    5"

    6"

    直徑偏差(mm)

    ±0.5

    ±0.5

    ±0.5

    ±0.5

    ±0.5

    ±0.5

    ±0.5

    ±0.5

    晶向

    <111>±1°/? <100>±1°

    <111>±1°/? <100>±1°

    氧含量

    ≤1.8E18 atoms/cm3

    碳含量

    ≤5E16 atoms/cm3

    體少子壽命

    ≥100us

    位錯密度

    ≤100/cm2

    漩渦

    主參考面

    (110)±1°或協商

    主參考面長度(mm)

    22.5±2.5

    32.5±2.5

    42.5±2.5

    52.5±2.5

    22.5±2.5

    32.5±2.5

    42.5±2.5

    52.5±2.5

    副參考面

    按國標執行或協商執行

    倒角

    R22°

    電阻率

    0.0015-80 ohm.cm

    0.001-60 ohm.cm

    研磨片厚度(μm)

    300-850 μm

    厚度公差(μm)

    ±10

    ±10

    ±10

    ±10

    ±10

    ±10

    ±10

    ±10

    TTV(μm)

    ≤10

    ≤10

    ≤10

    ≤10

    ≤10

    ≤10

    ≤10

    ≤10

    WARP(μm)

    ≤30

    ≤40

    ≤40

    ≤50

    ≤30

    ≤40

    ≤40

    ≤50

    總不平整度(TIR)(μm)

    ≤5

    ≤5

    ≤5

    ≤5

    ≤5

    ≤5

    ≤5

    ≤5

    表面狀態

    單面拋光,背面酸或堿腐蝕、外吸雜處理由雙方協商

    表面顆粒(個/片)

    6

    10

    10

    15

    6

    10

    10

    15

    其它參數

    客戶有特殊要求時可協商確定各質量參數

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