硅片等級標準

?一、優等品

?? 1：硅片表面光滑潔凈。

?? 2：TV：220±20μm。

?? 3：幾何尺寸： 邊長125±ffice:smarttags" /><?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com[img][/img]0.5mm；對角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 邊長103±0.5mm、對角135±0.5mm； 邊長150±0.5mm 、156±0.5mm、對角203±0.5mm、200±0.5mm。

?? 同心度：任意兩個弧的弦長之差≤1mm。

?? 垂直度：任意兩邊的夾角：90°±0.3。???

?

二、合格品??

?? 一級品：?

?? 1：表面有少許污漬、輕微線痕。

?? 2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。

?? 3：幾何尺寸： 邊長125±0.5mm；對角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 邊長103±0.5mm、對角135±0.5mm； 邊長150±0.5mm 、156±0.5mm、對角203±0.5mm、200±0.5mm。

?? 同心度：任意兩個弧的弦長之差≤1.2mm。

?? 垂直度：任意兩邊的夾角：90°±0.5。???

?

?? 二級品：?

?? 1：表面有少許污漬、線痕、凹痕，輕微崩邊。

?? 2： 220±30μm ≤TV≤220±40μm。

?? 3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。?

?? 4：崩邊范圍：崩邊口不是三角形狀，崩邊口長度≤1mm，深度≤0.5mm

?? 5：幾何尺寸： 邊長125±0.52mm；對角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm； 邊長103±0.52mm、對角135±0.52mm； 邊長150±0.52mm 、156±0.52mm、對角203±0.52mm、200±0.52mm。

?? 同心度：任意兩個弧的弦長之差≤1.5mm。

?? 垂直度：任意兩邊的夾角：90°±0.8。???

?

?? 三級品：??

?? 1：表面有油污但硅片顏色不發黑，有線痕和硅落現象。?????

?? 2：220±40μm ≤TV≤220±60μm。?

?? 3：硅落：整張硅片邊緣硅晶脫落或部分硅晶脫落。???

?

三、不合格品?

?? 嚴重線痕、厚薄片：TV＞220±60μm。

?? 崩邊片：有缺損但可以改Φ103的硅片。

?? 氣孔片：硅片中間有穿孔 。?

?? 外形片：切方滾圓未能磨出的硅片。

?? 倒角片（同心度）：任意兩個弧的弦長之差>1.5mm。

?? 菱形片（垂直度）：任意兩邊的夾角>90°±0.8。

?? 凹痕片：硅片兩面凹痕之和＞30μm。

?? 臟? 片：硅片表面有嚴重污漬且發黃發黑。

尺寸偏差片：幾何尺寸超過二級品的范圍。

硅片基本資料

線痕====硅片在切割過程中硅片表面被劃傷所留下的痕跡

崩邊=====chip晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區域，當崩邊在晶片邊緣長生時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出。

污片：用清洗溶劑清洗不能除去的表面臟污

穿孔：在對光源觀察時，晶片表面有用針或似用針刺的小孔。

微晶:1CM單位長度上個數超過5個。

隱裂：硅片表面存在不貫穿的隱形裂紋，裂紋寬度大于0.1MM。

翹曲度：晶片中心面與基準平面之間的最大和最小距離的差值。翹曲度是晶片的體性質而不是表面特征。

厚度：通過晶片上已給定點垂直于表面方向穿過晶片的距離。

總厚度變化TTV：在厚度掃描或一系列點的厚度測量中，所測晶片的最大厚度與最小厚度的絕對差值、

密集型線痕：垂直線橫方向每厘米存在5條線痕以上。

電阻率：單位體積的材料對于兩行平行面垂直通過的電流的阻率，符號為P，單位為歐。CM

少數載流子壽命：晶體中非平衡載流子由產生到復合存在的平均時間間隔，它等于非平衡少數流子濃度衰減到起始值的1/E{E=2.718}所需時間。又稱少數載流子壽命，體壽命。

生長方式;DSS

導電型號、摻雜劑：P/BORON

對角線;219.2+-0.5

TTV：小于或等于30UM

線痕：小于或等于20UM

崩邊;崩邊深度小于或等于0.3MM，長度小于或等于0.5MM，最多2個/片

翹曲度;小于或等于50UM

微晶;單個微晶面積小于3乘以3MM平方，整個微晶區域面積小于3乘以3的平方厘米

表面質量：表面無損失，無污點、無水漬、無污漬、

THICK:平均厚度

THICK.PT:5點厚度

TTVPT：5點平均

SM：線痕

W:波浪

BO：翹曲

CH；小崩邊

BR：破裂

H：氣孔

硅片生產流程

???? 簡介? 硅片的準備過程從硅單晶棒開始，到清潔的拋光片結束，以能夠在絕好的環境中使用。期間，從一單晶硅棒到加工成數片能滿足特殊要求的硅片要經過很多流程和清洗步驟。除了有許多工藝步驟之外，整個過程幾乎都要在無塵的環境中進行。硅片的加工從一相對較臟的環境開始，最終在10級凈空房內完成。????

???? 工藝過程綜述? 硅片加工過程包括許多步驟。所有的步驟概括為三個主要種類：能修正物理性能如尺寸、形狀、平整度、或一些體材料的性能；能減少不期望的表面損傷的數量；或能消除表面沾污和顆粒。